SK Hynix envía muestras de memoria AI HBM4E de 12 capas con velocidad de 16 Gbps y capacidad de 48 GB

SK Hynix anunció el jueves que ha enviado muestras HBM4E de 12 capas a clientes importantes — la próxima generación de memoria de alto ancho de banda diseñada para cargas de trabajo de entrenamiento e inferencia de IA. El anuncio, realizado a través de la sala de prensa oficial de la compañía, confirma que SK Hynix sigue adelante en la carrera de producción de HBM: Samsung envió sus propias muestras HBM4E a finales de mayo, pero la versión de 12 pilas de SK Hynix ofrece especificaciones de mayor capacidad y velocidad.

La HBM4E de 12 capas logra 48 gigabytes de capacidad por pila y una velocidad máxima de transferencia de datos de 16 gigabits por segundo por pin. La eficiencia energética mejora en más de un 20% en comparación con la generación anterior HBM4. No se trata de ganancias incrementales: en clústeres de entrenamiento de IA donde docenas o cientos de aceleradores funcionan simultáneamente, el ancho de banda de la memoria y la eficiencia energética afectan directamente tanto al rendimiento como al costo operativo.

Qué mejora HBM4E respecto a HBM4

SK Hynix utiliza su proceso de empaquetado Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) para apilar 12 chips manteniendo la estabilidad estructural — un desafío de fabricación que se vuelve significativamente más difícil a medida que aumenta el número de capas. La nueva generación también reduce la resistencia al calor en un 17% en comparación con HBM4, abordando una de las principales preocupaciones de confiabilidad en altos recuentos de capas, donde la gestión térmica entre chips densamente apilados se vuelve crítica.

La latencia también se ha reducido mediante la optimización de la interfaz y el diseño, lo que es particularmente importante para las cargas de trabajo de inferencia, donde los patrones de acceso a la memoria son menos predecibles que en el entrenamiento. El resultado neto es una memoria que funciona más rápido, más fría y más eficientemente que su predecesora — las tres mejoras relevantes para los clientes de aceleradores de IA a los que SK Hynix se dirige.

El panorama competitivo

HBM se ha convertido en el campo de batalla decisivo en el hardware de IA. Las GPU H100 y H200 de Nvidia utilizan HBM3E, y la próxima plataforma Rubin Ultra de la compañía está diseñada en torno a HBM4E — lo que hace que esta generación de memoria sea crítica para el próximo ciclo de producto de Nvidia. SK Hynix ha sido el proveedor principal de HBM de Nvidia; mantener esa relación a través de HBM4E es de enorme importancia para ambas compañías.

Las muestras HBM4E de Samsung, enviadas a finales de mayo, eran de 10 capas en lugar de 12 — lo que le da a SK Hynix una ventaja en capacidad en la misma generación. Micron, el tercer proveedor importante de HBM, no ha anunciado públicamente los plazos de HBM4E. La posición de SK Hynix es que sus muestras tempranas de 12 capas brindan a los clientes más tiempo para la calificación antes de que comience el lanzamiento de Rubin Ultra.

Los envíos actuales son muestras de calificación, no producción en masa. SK Hynix dijo que está trabajando estrechamente con socios para establecer el momento de la producción en masa, pero no se ha comprometido a una fecha específica. Dado el ciclo de calificación típico de 6 a 12 meses para la memoria de IA, es probable que la producción en volumen de HBM4E comience a finales de 2026 o principios de 2027.