CXMT الصينية: منصة DRAM الجديدة تنافس سامسونج وSK Hynix تقنياً

أعلنت شركة CXMT الصينية لصناعة الذاكرة عن بدء الإنتاج الضخم لمنصة DRAM من الجيل الخامس، مؤكدةً أن قدراتها التقنية باتت على مستوى أرقى المصنّعين في العالم — وهو ادعاء يُشير، إن صح، إلى تقلّص ملحوظ في الفجوة بين صناعة الذاكرة الصينية ونظيراتها الكورية والأمريكية التي طالما هيمنت على هذا القطاع.

أعلن عن ذلك نائب رئيس CXMT لو شياودونغ في معرض العالم للتصنيع 2026 في هيفي، مقاطعة آنهوي، يوم السبت، مشيراً إلى أن المنصة G5 بنصف خطوة نشطة يبلغ 11.95 نانومتر — محققاً عبر تقنية SAQP — تضع الشركة في مصاف الرواد الحاليين في الإنتاج.

السند التقني

SAQP هي ذات تقنية التنميط التي تستخدمها سامسونج وSK Hynix لدفع كثافة DRAM إلى ما هو أبعد مما تحققه EUV منفردةً. وبلوغ 11.95 نانومتر بهذه التقنية يضع CXMT في الفئة التصنيعية ذاتها التي تحتلها سامسونج وSK Hynix وميكرون.

وتحقق المنصة G5 أيضاً تحسيناً جوهرياً في معدل الإنتاجية: زيادة في عدد الرقائق لكل وافيرة بنسبة لا تقل عن 50% مقارنةً بالجيل الرابع على الرقائق المعادلة بسعة 8 غيغابت، مما يخفض تكلفة تصنيع كل رقاقة بصورة مباشرة.

حاضرة في الهواتف بالفعل

أعلنت CXMT في الوقت ذاته عن منتجَين جديدَين من LPDDR5X بسعة 24 غيغابت مبنيَّين على G5، ويوفران سعةً أكبر بنسبة 50% من المنتجات المعادلة من الجيل السابق. والأهم من ذلك أن هذه الرقائق تشحن فعلياً في أجهزة الرائدة لكبرى العلامات التجارية الصينية للهواتف الذكية، مما يعني أن المنصة G5 اجتازت التحقق الإنتاجي بنجاح.

دلالات السوق

بالنسبة لسامسونج وSK Hynix وميكرون، تمثّل ادعاءات G5 أشد تحدٍّ تنافسي واجهته شركاتها حتى الآن من قطاع الذاكرة الصيني. وإذا وفّت G5 بوعودها على نطاق واسع، فستمتلك CXMT الهيكل التكلفي للمنافسة على نطاق أوسع في شرائح DRAM التقليدية.

ظل نهج SAQP وسيلةً جزئية للتحايل على القيود الأمريكية، إذ يحقق كثافةً متقدمة عبر خطوات تنميط متعددة بدلاً من الاعتماد على أحدث أدوات EUV. وأن تكون CXMT نجحت في تطبيقه على نطاق الإنتاج هو الإشارة التقنية الأبرز في إعلان السبت.

وفق ما نشرته Pandaily وصحيفة South China Morning Post.