SK Hynix نمونههای حافظه HBM4E دوازدهلایه با سرعت 16Gbps و ظرفیت 48GB را برای کاربردهای AI ارسال کرد

SK Hynix روز پنجشنبه اعلام کرد که نمونههای ۱۲-لایهای HBM4E را به مشتریان عمده تحویل داده است — نسل بعدی حافظهی پهنایباند بالا که برای بارهای کاری آموزش و استنتاج AI طراحی شده است. این اعلامیه که از طریق اتاق خبر رسمی شرکت منتشر شد، تأیید میکند که SK Hynix در رقابت تولید HBM همچنان در صدر است: Samsung نمونههای HBM4E خود را در اواخر ماه می ارسال کرده بود، اما نسخهی ۱۲-پشتهای SK Hynix ظرفیت بیشتر و مشخصات سرعت بالاتری ارائه میدهد.
HBM4E ۱۲-لایهای به ظرفیت ۴۸ GB به ازای هر پشته و حداکثر سرعت انتقال دادهی ۱۶ Gbps به ازای هر پین دست مییابد. بازدهی مصرف انرژی در مقایسه با نسل پیشین HBM4 بیش از ۲۰ درصد بهبود یافته است. اینها پیشرفتهای تدریجی نیستند: در خوشههای آموزشی AI که در آنها دهها یا صدها شتابدهنده بهطور همزمان اجرا میشوند، پهنایباند حافظه و بازدهی مصرف انرژی مستقیماً بر توان عملیاتی و هزینههای عملیاتی تأثیر میگذارند.
بهبودهای HBM4E نسبت به HBM4
SK Hynix از فرآیند بستهبندی پیشرفته MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) خود برای انباشتن ۱۲ تراشه با حفظ پایداری ساختاری استفاده میکند — چالشی در تولید که با افزایش تعداد لایهها بهطور قابلتوجهی دشوارتر میشود. نسل جدید همچنین مقاومت حرارتی را در مقایسه با HBM4 به میزان ۱۷ درصد کاهش میدهد و یکی از نگرانیهای اصلی در خصوص قابلیت اطمینان در تعداد لایههای بالا را برطرف میسازد؛ جایی که مدیریت حرارتی میان تراشههای فشرده از اهمیت حیاتی برخوردار است.
تأخیر نیز از طریق بهینهسازی رابط و طراحی کاهش یافته است، که این امر بهویژه برای بارهای کاری استنتاج اهمیت دارد؛ جایی که الگوهای دسترسی به حافظه در مقایسه با آموزش، قابلیت پیشبینی کمتری دارند. نتیجه نهایی، حافظهای است که سریعتر، خنکتر و کارآمدتر از نسل پیشین خود عمل میکند — هر سه بهبود برای مشتریان شتابدهندههای AI که SK Hynix هدف قرار داده است، مرتبط و مؤثر هستند.
چشمانداز رقابتی
HBM به میدان نبرد تعیینکننده در سختافزار AI تبدیل شده است. GPUهای H100 و H200 شرکت Nvidia از HBM3E بهره میبرند و پلتفرم آتی این شرکت، Rubin Ultra، حول محور HBM4E طراحی شده است — که این نسل از حافظه را برای چرخه محصولی بعدی Nvidia حیاتی میسازد. SK Hynix تأمینکننده اصلی HBM برای Nvidia بوده است؛ حفظ این رابطه در دوران HBM4E برای هر دو شرکت از اهمیت فوقالعادهای برخوردار است.
نمونههای HBM4E شرکت Samsung که در اواخر ماه مه ارسال شدند، دارای ۱۰ لایه بودند نه ۱۲ لایه — که این امر در همین نسل، برتری ظرفیتی را به SK Hynix میدهد. Micron، سومین تأمینکننده عمده HBM، جدول زمانی HBM4E را بهطور عمومی اعلام نکرده است. موضع SK Hynix این است که نمونههای زودهنگام ۱۲ لایهای آن، زمان بیشتری را پیش از آغاز راهاندازی Rubin Ultra در اختیار مشتریان برای انجام فرآیند صلاحیتسنجی قرار میدهد.
محمولههای کنونی نمونههای صلاحیتسنجی هستند، نه تولید انبوه. SK Hynix اعلام کرده که با شرکای خود بهمنظور تعیین زمانبندی تولید انبوه در حال همکاری نزدیک است، اما به تاریخ مشخصی متعهد نشده است. با توجه به چرخه معمول ۶ تا ۱۲ ماهه صلاحیتسنجی برای حافظههای AI، تولید انبوه HBM4E احتمالاً در اواخر ۲۰۲۶ یا اوایل ۲۰۲۷ آغاز خواهد شد.
Originally reported by SK Hynix Newsroom. Read the original article for additional details.
View original source